上??颇偷献灾餮邪l(fā)生產的一款新型電動執(zhí)行器助力企業(yè)實現(xiàn)智能化
電動執(zhí)行器:實現(xiàn)智能控制的新一代動力裝置
電動放料閥:化工行業(yè)的新星,提升生產效率與安全性的利器
創(chuàng)新電動執(zhí)行器助力工業(yè)自動化,實現(xiàn)高效生產
簡單介紹電動球閥的作用與功效
電動執(zhí)行器如何選型及控制方式
電動執(zhí)行器選型指南:如何為您的應用選擇合適的執(zhí)行器
電動執(zhí)行器主要由哪些部分組成
電動執(zhí)行器這些知識,你不能不知道。
電動焊接閘閥的維護保養(yǎng):確保高效運轉與長期壽命的關鍵
推挽驅動是兩不同極性晶體管輸出電路無輸出變壓器(有OTL、OCL等)。是兩個參數(shù)相同的功率 BJT 管或 MOSFET 管,以推挽方式存在于電路中,各負責正負半周的波形放大任務,電路工作時,兩只對稱的功率開關管每次只有一個導通,所以導通損耗小效率高。推挽輸出既可以向負載灌電流,也可以從負載抽取電流。如果輸出級的有兩個三極管,始終處于一個導通、一個截止的狀態(tài),也就是兩個三級管推挽相連,這樣的電路結構稱為推拉式電路或圖騰柱(Totem- pole)輸出電路。當輸出低電平時,也就是下級負載門輸入低電平時,輸出端的電流將是下級門灌入T4;當輸出高電平時,也就是下級負載門輸入高電平時,輸出端的電流將是下級門從本級電源經 T3、D1 拉出。IGBT的驅動電路一般采用驅動芯片,如東芝的TLP系列、富士公司的EXB系列、英飛凌的EiceDRIVER系列等。奉賢區(qū)質量驅動電路銷售廠
光電隔 離,是利用光耦合器將控制信號回路和驅動回路隔離開。該驅動電路輸出阻抗較小,解決了柵極驅動源低阻抗的問題,但由于光耦合器響應速度較慢,因而其開關延遲時間較長,限制了適應頻率。典型光耦內部電路圖光耦指的是可隔離交流或直流信號KCB EA。1.由IF控制Ic;電流傳輸比CTR-Current Transfer Ratio2.輸入輸出特性與普通三極管相似,電流傳輸比Ic/IF比三極管“β ”小;3.可在線性區(qū), 也可在開關狀態(tài)。 驅動電路中, 一般工作在開關狀態(tài)。虹口區(qū)推廣驅動電路服務熱線傳感器檢測到的物理量(如溫度、壓力等)可以通過驅動電路轉換為電信號,以便進行后續(xù)處理和分析。
非隔離驅動電路:不具有電氣隔離結構,多采用電阻、二極管、三極管或非隔離型驅動芯片。按常見形式分類:直接驅動:由單個電子元器件(如二極管、三極管、電阻、電容等)連接起來組成的驅動電路,多用于功能簡單的小功率驅動場合。隔離驅動:電路包含隔離器件,常用的有光耦驅動、變壓器驅動以及隔離電容驅動等。**驅動集成芯片:在數(shù)字電源中應用***,許多驅動芯片自帶保護和隔離功能。功率開關管常用驅動MOSFET驅動:MOSFET常用于中小功率數(shù)字電源,其驅動電壓范圍一般在-10~20V之間。MOSFET對驅動電路的功率要求不高,在低頻場合可利用三極管直接驅動,而在高頻場合多采用變壓器或**芯片進行驅動。
a)驅動器靠近IGBT減小引線長度;b) 驅動的柵射極引線絞合,并且不要用過粗的線;c) 線路板上的 2 根驅動線的距離盡量靠近;d) 柵極電阻使用無感電阻;e) 如果是有感電阻,可以用幾個并聯(lián)以減小電感。2、IGBT 開通和關斷選取不同的柵極電阻通常為達到更好的驅動效果,IGBT開通和關斷可以采取不同的驅動速度,分別選取 Rgon和Rgoff(也稱 Rg+ 和 Rg- )往往是很必要的。IGBT驅動器有些是開通和關斷分別輸出控制,只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了。顯示控制:驅動電路可以將數(shù)字信號轉換為模擬信號,以控制液晶顯示屏、LED顯示屏等顯示設備;
實現(xiàn)電氣隔離:在需要電氣隔離的應用中,驅動電路通過光耦、變壓器等隔離器件,將輸入信號與輸出信號隔離開來,提高系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。三、驅動電路的分類按功率器件的接地類型分類:直接接地驅動:功率器件的接地端電位恒定,常用的有推挽驅動以及圖騰柱驅動等。浮動接地驅動:功率器件接地端電位會隨電路狀態(tài)變化而浮動,典型的為自舉驅動電路。按電路結構分類:隔離型驅動電路:包含光耦、變壓器、電容等具有電氣隔離功能器件的驅動電路。驅動電路,位于主電路和控制電路之間,主要作用是對控制電路的信號進行放大,使其能夠驅動功率開關器件。靜安區(qū)特點驅動電路哪家好
驅動電路的設計通常需要考慮負載的電流、電壓要求,以及控制信號的特性。奉賢區(qū)質量驅動電路銷售廠
Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測試方法測量出開通能量E,然后再計算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE這種方法雖然準確但太繁瑣,一般情況下我們可以簡單地利用IGBT數(shù)據(jù)手冊中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷:如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,那么可以近似的認為Cin=4.5Cies,門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的輸入電容(Cies 可從IGBT 手冊中找到)奉賢區(qū)質量驅動電路銷售廠
祥盛芯城(上海)半導體有限公司在同行業(yè)領域中,一直處在一個不斷銳意進取,不斷制造創(chuàng)新的市場高度,多年以來致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價值理念的產品標準,在上海市等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的商業(yè)口碑,成績讓我們喜悅,但不會讓我們止步,殘酷的市場磨煉了我們堅強不屈的意志,和諧溫馨的工作環(huán)境,富有營養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開拓創(chuàng)新,勇于進取的無限潛力,祥盛芯城供應攜手大家一起走向共同輝煌的未來,回首過去,我們不會因為取得了一點點成績而沾沾自喜,相反的是面對競爭越來越激烈的市場氛圍,我們更要明確自己的不足,做好迎接新挑戰(zhàn)的準備,要不畏困難,激流勇進,以一個更嶄新的精神面貌迎接大家,共同走向輝煌回來!